什麼是半導體的核殼異質結

A. 什麼是本體異質結

異質結(heterojunction)是兩種不同的半導體相接觸所形成的界面區域。按照兩種材料的導電類型版不同，異質結權可分為同型異質結（P-P結或N-N結）和異型異質(P-N或P-N)結，多層異質結稱為異質結構。通常形成異質結的條件是：兩種半導體有相似的晶體結構、相近的原子間距和熱膨脹系數。利用界面合金、外延生長、真空淀積等技術，都可以製造異質結。異質結常具有兩種半導體各自的PN結都不能達到的優良的光電特性，使它適宜於製作超高速開關器件、太陽能電池以及半導體激光器等。
將p和n混合成一體便構成了bulk heterojunction（本體異質結）

B. 半導體與半導體形成的異質結叫什麼

一塊一側摻雜成P型半導體，另一側參雜成N型半導體，中間二者相連的接觸面稱為PN結

C. pn結和金屬-半導體接觸的都屬於異質結么

PN結
採用不同的摻雜工藝,將P型半導體與N型半導體製作在同一塊矽片上,在它們的交界面就形成空間電荷區稱PN結。PN結具有單向導電性。

PN結
（PN junction）

一塊單晶半導體中 ，一部分摻有受主雜質是P型半導體，另一部分摻有施主雜質是N型半導體時 ，P 型半導體和N型半
導體的交界面附近的過渡區稱。PN結有同質結和異質結兩種。用同一種半導體材料製成的 PN 結叫同質結 ，由禁帶寬度不
同的兩種半導體材料製成的PN結叫異質結。製造PN結的方法有合金法、擴散法、離子注入法和外延生長法等。製造異質
結通常採用外延生長法。
在 P 型半導體中有許多帶正電荷的空穴和帶負電荷的電
離雜質。在電場的作用下，空穴是可以移動的，而電離雜質（離子）是固定不動的 。N 型半導體中有許多可動的負電子
和固定的正離子。當P型和N型半導體接觸時，在界面附近空穴從P型半導體向N型半導體擴散，電子從N型半導體向P型半
導體擴散。空穴和電子相遇而復合，載流子消失。因此在界面附近的結區中有一段距離缺少載流子，卻有分布在空間的
帶電的固定離子，稱為空間電荷區 。P 型半導體一邊的空間電荷是負離子 ，N 型半導體一邊的空間電荷是正離子。正負
離子在界面附近產生電場，這電場阻止載流子進一步擴散 ，達到平衡。
在PN結上外加一電壓 ，如果P型一邊接正極 ，N型一邊接負極，電流便從P型一邊流向N型一邊，空穴和電子都向界
面運動，使空間電荷區變窄，甚至消失，電流可以順利通過。如果N型一邊接外加電壓的正極，P型一邊接負極，則空穴和
電子都向遠離界面的方向運動，使空間電荷區變寬，電流不能流過。這就是PN結的單向導性。
PN結加反向電壓時 ，空間電荷區變寬 ， 區中電場增強。反向電壓增大到一定程度時，反向電流將突然增大。如果外
電路不能限制電流，則電流會大到將PN結燒毀。反向電流突然增大時的電壓稱擊穿電壓。基本的擊穿機構有兩種，即隧
道擊穿和雪崩擊穿。
PN結加反向電壓時，空間電荷區中的正負電荷構成一個電容性的器件。它的電容量隨外加電壓改變。
根據PN結的材料、摻雜分布、幾何結構和偏置條件的不同，利用其基本特性可以製造多種功能的晶體二極體。如利
用PN結單向導電性可以製作整流二極體、檢波二極體和開關二極體，利用擊穿特性製作穩壓二極體和雪崩二極體；利用
高摻雜PN結隧道效應製作隧道二極體；利用結電容隨外電壓變化效應製作變容二極體。使半導體的光電效應與PN結相結
合還可以製作多種光電器件。如利用前向偏置異質結的載流子注入與復合可以製造半導體激光二極體與半導體發光二極
管；利用光輻射對PN結反向電流的調製作用可以製成光電探測器；利用光生伏特效應可製成太陽電池。此外，利用兩個
PN結之間的相互作用可以產生放大，振盪等多種電子功能 。PN結是構成雙極型晶體管和場效應晶體管的核心，是現代電
子技術的基礎。在二級管中廣泛應用。

異質結就是不同半導體形成的結，包括pn結，np結，pp結，nn結

D. 什麼是半導體異質結異質結在半導體光電子器件中有哪些作用

半導體異質結構一般是由兩層以上不同材料所組成，它們各具不同的能帶隙。這些材料可以是之類的化合物，也可以是Si-Ge之類的半導體合金。按異質結中兩種材料導帶和價帶的對准情況可以把異質結分為Ⅰ型異質結和Ⅱ型異質結兩種，兩種異質結的能帶結構
異質結圖冊
，I型異質結的能帶結構是嵌套式對準的,窄帶材料的導帶底和價帶頂都位於寬頻材料的禁帶中，ΔEc和ΔEv的符號相反，GaAlAs/GaAs和InGaAsP/InP都屬於這一種。在Ⅱ型異質結中，ΔEc和ΔEv的符號相同。具體又可以分為兩種:一種所示的交錯式對准，窄帶材料的導帶底位於寬頻材料的禁帶中，窄帶材料的價帶頂位於寬頻材料的價帶中。另一種如圖1(c)所示窄帶材料的導帶底和價帶頂都位於寬頻材料的價帶中
Ⅱ型異質結的基本特性是在交界面附近電子和空穴空間的分隔和在自洽量子阱中的局域化。由於在界面附近波函數的交疊，導致光學矩陣元的減少，從而使輻射壽命加長，激子束縛能減少。由於光強和外加電場會強烈影響Ⅱ型異質結的特性，使得與Ⅰ型異質結相比，Ⅱ型異質結表現出不尋常的載流子的動力學和復合特性，從而影響其電學、光學和光電特性及其器件的參數。http://ic.big-bit.com/news/list-75.html

E. 半導體異質結

按照兩種材料的導電類型不同，異質結可分為同型異質結（P-p結或N-n結）和異型異質(P-n或p-N)結，多層異質結稱為異質結構。

F. 半導體的PN結指的是什麼

採用不同的摻雜工藝，通過擴散作用，將P型半導體與N型半導體製作在同一塊半導體（通常是硅或鍺）基片上,在它們的交界面就形成空間電荷區稱PN結。PN結具有單向導電性。P是positive的縮寫，N是negative的縮寫，表明正荷子與負荷子起作用的特點。
一塊單晶半導體中 ，一部分摻有受主雜質是P型半導體，另一部分摻有施主雜質是N型半導體時 ，P 型半導體和N型半導體的交界面附近的過渡區稱為PN結。PN結有同質結和異質結兩種。用同一種半導體材料製成的 PN 結叫同質結 ，由禁帶寬度不同的兩種半導體材料製成的PN結叫異質結。製造PN結的方法有合金法、擴散法、離子注入法和外延生長法等。製造異質結通常採用外延生長法。
P型半導體（P指positive，帶正電的）：由單晶硅通過特殊工藝摻入少量的三價元素組成，會在半導體內部形成帶正電的空穴；
N型半導體（N指negtive，帶負電的）：由單晶硅通過特殊工藝摻入少量的五價元素組成，會在半導體內部形成帶負電的自由電子。
在 P 型半導體中有許多帶正電荷的空穴和帶負電荷的電離雜質。在電場的作用下，空穴是可以移動的，而電離雜質（離子）是固定不動的 。N 型半導體中有許多可動的負電子和固定的正離子。當P型和N型半導體接觸時，在界面附近空穴從P型半導體向N型半導體擴散，電子從N型半導體向P型半導體擴散。空穴和電子相遇而復合，載流子消失。因此在界面附近的結區中有一段距離缺少載流子，卻有分布在空間的帶電的固定離子，稱為空間電荷區 。P 型半導體一邊的空間電荷是負離子 ，N 型半導體一邊的空間電荷是正離子。正負離子在界面附近產生電場，這電場阻止載流子進一步擴散 ，達到平衡。
在PN結上外加一電壓 ，如果P型一邊接正極 ，N型一邊接負極，電流便從P型一邊流向N型一邊，空穴和電子都向界面運動，使空間電荷區變窄，電流可以順利通過。如果N型一邊接外加電壓的正極，P型一邊接負極，則空穴和電子都向遠離界面的方向運動，使空間電荷區變寬，電流不能流過。這就是PN結的單向導電性。
PN結加反向電壓時 ，空間電荷區變寬 ， 區中電場增強。反向電壓增大到一定程度時，反向電流將突然增大。如果外電路不能限制電流，則電流會大到將PN結燒毀。反向電流突然增大時的電壓稱擊穿電壓。基本的擊穿機構有兩種，即隧道擊穿（也叫齊納擊穿）和雪崩擊穿，前者擊穿電壓小於0.6V，有負的溫度系數，後者擊穿電壓大於0.6V，有正的溫度系數。 PN結加反向電壓時，空間電荷區中的正負電荷構成一個電容性的器件。它的電容量隨外加電壓改變。
根據PN結的材料、摻雜分布、幾何結構和偏置條件的不同，利用其基本特性可以製造多種功能的晶體二極體。如利用PN結單向導電性可以製作整流二極體、檢波二極體和開關二極體，利用擊穿特性製作穩壓二極體和雪崩二極體；利用高摻雜PN結隧道效應製作隧道二極體；利用結電容隨外電壓變化效應製作變容二極體。使半導體的光電效應與PN結相結合還可以製作多種光電器件。如利用前向偏置異質結的載流子注入與復合可以製造半導體激光二極體與半導體發光二極體；利用光輻射對PN結反向電流的調製作用可以製成光電探測器；利用光生伏特效應可製成太陽電池。此外，利用兩個
PN結之間的相互作用可以產生放大，振盪等多種電子功能 。PN結是構成雙極型晶體管和場效應晶體管的核心，是現代電子技術的基礎。在二級管中廣泛應用。
PN結的平衡態,是指PN結內的溫度均勻、穩定,沒有外加電場、外加磁場、光照和輻射等外界因素的作用,宏觀上達到穩定的平衡狀態.

G. 求助核殼結構的復合半導體材料的優缺點

1.殼可以保護核，使得核更穩定
2.表面修飾，而殼很活潑，譬如以二氧化硅為版殼，由於硅權烷試劑可選擇較多，能修飾你想要的功能基團
3.核殼結構的電子結構可以雜化，從而優化性能，譬如CdSe包裹ZnS
4.核殼結構還能復合各種性能，譬如Fe3O4@Au，其既有SPR也有磁性

H. 同質結半導體激光器和異質結半導體激光器的分別是什麼各自的特點是什麼

同質結就是同種材料通過不同參雜形成PN結，異質結就是不同種材料通過參雜形成的PN結。

I. 什麼是同質結與異質結

1、同質結就是同一種半導體形成的結，包括pn結、pp結、nn結。

2、異質結是一種特殊的PN結，由兩層以上不同的半導體材料薄膜依次沉積在同一基座上形成，這些材料具有不同的能帶隙，它們可以是砷化鎵之類的化合物，也可以是硅-鍺之類的半導體合金。

半導體異質結構的二極體特性非常接近理想二極體。另外，通過調節半導體各材料層的厚度和能帶隙，可以改變二極體電流與電壓的響應參數。半導體異質結構對半導體技術具有重大影響，是高頻晶體管和光電子器件的關鍵成分。

(9)什麼是半導體的核殼異質結擴展閱讀

異質結構雙極晶體管——

在半導體異質結構中，中間層有較低的能帶，因此電子很容易就由旁邊的夾層注入，是故在晶體管中由射極經過基極到集極的電流，就可以大為提高，晶體管的放大倍率也為之增加；同時基極的厚度可以減小，其摻雜濃度可以增加，因而反應速率變大，所以異質結構得以製作快速晶體管。

利用半導體異質結構作成晶體管的建議與其特性分析，是由克接拉姆在1957提出的。半導體異質結構雙極晶體管因具有快速、高放大倍率的優點，因而廣泛應用於人造衛星通訊或是行動電話等。

J. 同質結，異質結和它們的區別

同質結：其來pn結由同一種半源導體材料構成
異質結：其pn結採用不同半導體材料構成
雙異質結：在寬頻隙的p型和N型半導體材料之間插入一薄層窄帶隙的材料

區別：同質結LED有源區對載流子和光子的限製作用很弱；
異質結LED:(1)帶隙差形成的勢壘將電子和空穴限制在有源區復合發光
（2）折射率光場有效地限制在有源區