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为什么N型半导体含磷不叫p型

发布时间: 2021-03-14 06:06:37

1. 为何半导体硅中掺五族的氮、磷称为N型半导体,而氧化锌中掺氮元素称为p型掺杂

五族的氮、磷掺入硅中后,因为它们的价电子比硅的多一个,这个多出的回电子即容易释放答出来而成为导带的电子,所以它们是N型杂质。
但是,氮元素掺入到氧化锌中后,将取代六族的氧(不会取代二族的Zn),这就缺少了一个价电子,因而氮可以接受一个价电子,即可以给出一个空穴到价带,所以氮元素是p型杂质。

2. 什么是P型半导体和N型半导体都有哪些性质呢

P型半导体
多数载流子为空穴的半导体。
型半导体中,空穴为多子,自由电子为少子,主要靠空穴导电。由于P型半导体中正电荷量与负电荷量相等,故P型半导体呈电中性。空穴主要由杂质原子提供,自由电子由热激发形成。掺入的杂质越多,多子(空穴)的浓度就越高,导电性能就越强。
N型半导体
多数载流子为电子的半导体
也称为电子型半导体。N型半导体即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体。
在纯净的硅晶体中掺入Ⅴ族元素(如磷、砷、锑等),使之取代晶格中硅原子的位置,就形成了N型半导体。这类杂质提供了带负电(Negative)的电子载流子,称他们为施主杂质或n型杂质。在N型半导体中,自由电子为多子,空穴为少子,主要靠自由电子导电,由于N型半导体中正电荷量与负电荷量相等,故N型半导体呈电中性。自由电子主要由杂质原子提供,空穴由热激发形成。掺入的杂质越多,多子(自由电子)的浓度就越高,导电性能就越强。

3. 本征半导体为什么加五价磷就能变成N型半导体

楼主您好。本征半导体中,空穴和电子数目相等,是完全不含杂质且无晶格缺陷专的纯净半导体,实际的半属导体由于缺陷、掺杂等各种原因,根据导电机制不同划分为n型和p型半导体;而本征半导体的掺杂有这么几个原则:掺杂高价元素(施主杂质),可以提供更多的电子,导致本征半导体中的电子-空穴对平衡移动,空穴减少,成为n型半导体。而掺杂低价元素(受主杂质),导致半导体中电子数目减少,相应空穴数目增多,成为p型半导体。总结来说,与本征半导体本身的价态有关,如果在Si半导体中,楼主提到的五价元素掺杂可以使Si成为n型半导体;掺杂三价元素会成为p型半导体。

4. 什么是N型半导体 什么是P型半导体

在半导体材料硅或锗晶体中掺入三价元素杂质可构成缺壳粒的P型半导体,掺入五内价元素容杂质可构成多余壳粒的N形半导体。 ( 两种半导体接触在一起的点或面构成PN结,在接触点或面上N型半导体多余壳粒趋向P型半导体,并形成阻挡层或接触电位差。当P型接正极,N型接负极,N型半导体多余壳粒和PN结上壳粒易往正移动,且阻挡层变薄接触电位差变小,即电阻变小,可形成较大电流;反之当P型接负极,N型接正极,因为P半导体缺壳粒,热运动也难分离出壳粒往正极运动,且阻挡层变厚接触电位差变大,电阻变大,形成较小电流,即具有单向通过电流属性。 )

多子与少子是相对概念。
如:在N型半导体中自由电子是多数载流子,简称为“多子”;空穴为小数载流子,称为“少子”。而在P型中则相反。
----考试的话,答概念就可以了,具体的作用过程你就不用记了。

5. 请问一下各位大神什么才算N型半导体,与P型半导体的区别

N型的自由电子多,P型的空位多。所以电子从N到P,电流方向是p到N。除非电压过大(大于击穿电压),否则电流不能从N到P传播。要更具体可以去网络,望采纳

6. 解释一下P型半导体和N型半导体 以及 PN结

7、将一o块P型半导体与f一n块N型半导体用导线(金属)连接,能产生PN结吗? ----------------------------------------------------------------- 不z能,但回如果使用适当的金答属,可以7形成1个y肖特基势垒接触-----这个l也i有PN结的整流特性。 2、我从2资料中4查找二h极管结构,里面只有一t块半导体,那么pPN结是怎么i形成的呢,PN结不u是必须由两块半导体生成吗,且一z个k为6N型,一s个q为7P型 --------------------------------------------------------------------------------------------------- PN结可以5分3两种,一e种是异质结,也u就是你说的两块不e同的半导体键合而成的。另一w种是同质结,用一f块材料,通过掺杂不l同的杂质,实现在同一x块材料里做出P型材料和n型材料。比1如说,在si 里掺P(磷)就能做出n型材料, 掺B(硼)就能做出p型材料 2011-10-31 8:44:27

7. 半导体的类型-N型、P型是怎样定义和区别的

下面,我们将采用对比分析的方法来认识P型半导体和N型半导体。

P型半导体也称为空穴型半导体。P型半导体即空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体。在纯净的硅晶体中掺入三价元素(如硼),使之取代晶格中硅原子的位子,就形成P型半导体。在P型半导体中,空穴为多子,自由电子为少子,主要靠空穴导电。空穴主要由杂质原子提供,自由电子由热激发形成。掺入的杂质越多,多子(空穴)的浓度就越高,导电性能就越强。

N型半导体也称为电子型半导体。N型半导体即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体。在纯净的硅晶体中掺入五价元素(如磷),使之取代晶格中硅原子的位置,就形成了N型半导体。在N型半导体中,自由电子为多子,空穴为少子,主要靠自由电子导电。自由电子主要由杂质原子提供,空穴由热激发形成。掺入的杂质越多,多子(自由电子)的浓度就越高,导电性能就越强。

(7)为什么N型半导体含磷不叫p型扩展阅读

半导体( semiconctor),指常温下导电性能介于导体(conctor)与绝缘体(insulator)之间的材料。半导体在收音机、电视机以及测温上有着广泛的应用。如二极管就是采用半导体制作的器件。半导体是指一种导电性可受控制,范围可从绝缘体至导体之间的材料。无论从科技或是经济发展的角度来看,半导体的重要性都是非常巨大的。今日大部分的电子产品,如计算机、移动电话或是数字录音机当中的核心单元都和半导体有着极为密切的关连。常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等,而硅更是各种半导体材料中,在商业应用上最具有影响力的一种。

以GaN(氮化镓)为代表的第三代半导体材料及器件的开发是新兴半导体产业的核心和基础,其研究开发呈现出日新月异的发展势态。GaN基光电器件中,蓝色发光二极管LED率先实现商品化生产 成功开发蓝光LED和LD之后,科研方向转移到GaN紫外光探测器上 GaN材料在微波功率方面也有相当大的应用市场。氮化镓半导体开关被誉为半导体芯片设计上一个新的里程碑。美国佛罗里达大学的科学家已经开发出一种可用于制造新型电子开关的重要器件,这种电子开关可以提供平稳、无间断电源。

参考资料

半导体-网络

8. 什么是n型半导体什么是p型半导体它们是怎样形成的帮我回答,谢谢。

N型半导体:也称为电子型半导体。N型半导体即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体。

在纯净的硅晶体中掺入五价元素(如磷),使之取代晶格中硅原子的位置,就形成了N型半导体。在N型半导体中,自由电子为多子,空穴为少子,主要靠自由电子导电。自由电子主要由杂质原子提供,空穴由热激发形成。掺入的杂质越多,多子(自由电子)的浓度就越高,导电性能就越强。

P型半导体:也称为空穴型半导体。P型半导体即空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体。

在纯净的硅晶体中掺入三价元素(如硼),使之取代晶格中硅原子的位子,就形成P型半导体。在P型半导体中,空穴为多子,自由电子为少子,主要靠空穴导电。空穴主要由杂质原子提供,自由电子由热激发形成。掺入的杂质越多,多子(空穴)的浓度就越高,导电性能就越强。

(8)为什么N型半导体含磷不叫p型扩展阅读

在纯硅中掺入微量3价元素铟或铝,由于铟或铝原子周围有3个价电子,与周围4价硅原子组成共价结合时缺少一个电子,形成一个空穴。空穴相当于带正电的粒子,在这类半导体的导电中起主要作用。

在纯净的硅晶体中掺入三价元素(如硼),使之取代晶格中硅原子的位置,就形成P型半导体。在P型半导体中,空穴为多子,自由电子为少子,主要靠空穴导电。由于P型半导体中正电荷量与负电荷量相等,故P型半导体呈电中性。空穴主要由杂质原子提供,自由电子由热激发形成。

9. 为什么N型半导体中不导电的是正离子而P型半导体是负离子

假设半导体是硅
N型半导体中掺杂的是Ⅵ (5)族元素 比如P 磷
当磷占据一个硅原子的位置时,磷元素外围的5个电子 4个形成共价键,还有一个形成自由电子
所以N型半导体导电的是电子
相反,P型 中掺杂 3 族元素 如B 硼 你可以这样理解,B 与 Si形成共价键需要从外间获取一个电子,形成一个空穴,所以导电的是空穴 既是正电子。

10. 为什么要叫N/P型半导体

半导体之所抄以被称之为“半导体”,其原因很简单,说通俗一点儿就是这种由P型材料与N型材料 组成的东东,其导电性能是介于 绝缘体和导体之间的一个值,因此得名为“半导体”。超导体自然其导电性能高于半导体。
其实不管一个什么东东,其名字和人名一样 都是代名词。都是由发明创造它的人 为之命名。在这里,P型半导体 的P 是取英文单词Positive(正极)的首字母;同理,N型半导体是取Negative(负极)的首字母。所以,有P型半导体、N型半导体这样的叫法,就不奇怪了。
在模拟电子技术中,二极管就是由P型半导体和N型半导体构成,其内部(P与N的接触面)有一个PN结, 估计你又要问为什么 不是NP结呢? 其实PN和NP都差不多,只是遵循我们的习惯罢了。 人们常常都说正负极,而很少有人说 负正极。一样的道理!

希望我的回答 能够解除你的疑惑!! 楼上说得也很有道理!!

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