半导体pn层什么意思

Ⅰ 晶体三级管,有几层半导体,几个pn组成

晶体三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管，被誉为20世纪最专重要的发明，其属重要性堪比原子弹，肖克利等三人因此获得1956年诺贝尔物理学奖。
从后来的发展情况看，晶体三极管已经成为芯片的核心元件，而芯片又是现代信息社会的基石，足见诺贝尔物理学奖没有颁错人。
三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把正块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。

Ⅱ PN是什么材料

PN结（PN junction）
采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称PN结。PN结具有单向导电性。P是positive的缩写，N是negative的缩写，表明正荷子与负荷子起作用的特点。 一块单晶半导体中 ，一部分掺有受主杂质是P型半导体，另一部分掺有施主杂质是N型半导体时 ，P 型半导体和N型半导体的交界面附近的过渡区称为PN结。PN结有同质结和异质结两种。用同一种半导体材料制成的 PN 结叫同质结 ，由禁带宽度不同的两种半导体材料制成的PN结叫异质结。制造PN结的方法有合金法、扩散法、离子注入法和外延生长法等。制造异质结通常采用外延生长法。 P型半导体（P指positive，带正电的）：由单晶硅通过特殊工艺掺入少量的三价元素组成，会在半导体内部形成带正电的空穴； N型半导体（N指negative，带负电的）：由单晶硅通过特殊工艺掺入少量的五价元素组成，会在半导体内部形成带负电的自由电子。 在 P 型半导体中有许多带正电荷的空穴和带负电荷的电离杂质。在电场的作用下，空穴是可以移动的，而电离杂质（离子）是固定不动的 。N 型半导体中有许多可动的负电子和固定的正离子。当P型和N型半导体接触时，在界面附近空穴从P型半导体向N型半导体扩散，电子从N型半导体向P型半导体扩散。空穴和电子相遇而复合，载流子消失。因此在界面附近的结区中有一段距离缺少载流子，却有分布在空间的带电的固定离子，称为空间电荷区 。P 型半导体一边的空间电荷是负离子 ，N 型半导体一边的空间电荷是正离子。正负离子在界面附近产生电场，这电场阻止载流子进一步扩散 ，达到平衡。 在PN结上外加一电压 ，如果P型一边接正极 ，N型一边接负极，电流便从P型一边流向N型一边，空穴和电子都向界面运动，使空间电荷区变窄，电流可以顺利通过。如果N型一边接外加电压的正极，P型一边接负极，则空穴和电子都向远离界面的方向运动，使空间电荷区变宽，电流不能流过。这就是PN结的单向导电性。 PN结加反向电压时 ，空间电荷区变宽 ， 区中电场增强。反向电压增大到一定程度时，反向电流将突然增大。如果外电路不能限制电流，则电流会大到将PN结烧毁。反向电流突然增大时的电压称击穿电压。基本的击穿机构有两种，即隧道击穿（也叫齐纳击穿）和雪崩击穿，前者击穿电压小于6V，有负的温度系数，后者击穿电压大于6V，有正的温度系数。 PN结加反向电压时，空间电荷区中的正负电荷构成一个电容性的器件。它的电容量随外加电压改变。 根据PN结的材料、掺杂分布、几何结构和偏置条件的不同，利用其基本特性可以制造多种功能的晶体二极管。如利用PN结单向导电性可以制作整流二极管、检波二极管和开关二极管，利用击穿特性制作稳压二极管和雪崩二极管；利用高掺杂PN结隧道效应制作隧道二极管；利用结电容随外电压变化效应制作变容二极管。使半导体的光电效应与PN结相结合还可以制作多种光电器件。如利用前向偏置异质结的载流子注入与复合可以制造半导体激光二极管与半导体发光二极管；利用光辐射对PN结反向电流的调制作用可以制成光电探测器；利用光生伏特效应可制成太阳电池。此外，利用两个 PN结之间的相互作用可以产生放大，振荡等多种电子功能 。PN结是构成双极型晶体管和场效应晶体管的核心，是现代电子技术的基础。在二级管中广泛应用。 PN结的平衡态,是指PN结内的温度均匀、稳定,没有外加电场、外加磁场、光照和辐射等外界因素的作用,宏观上达到稳定的平衡状态.

简单的说就是电子材料

Ⅲ 电子中PN是什么意思

PN： 通过特殊的“扩散”制作工艺，将一块本征半导体的一半掺入微版量的三价元素、变成权P型半导体，而将其另一半掺入微量的五价元素、变成N型半导体，在P型半导体区和N型半导体区的交界面处就会形成一个具有特殊导电性能的薄层，这就是PN结，它对P型区和N型区中多数载流子的扩散运动产生了阻力。

Ⅳ PN半导体中,P中的电子随时间延长，岂不是越来越多，N中的空穴越来越多

所谓的空穴，只是在p型材料中表示电子行为的一种人造概念。pn结正偏时，电子由n端流入，在内pn结中是由容n到p的，这个电子流对p型材料，你也可以看成是空穴从p到n，实际上就是那些电子在循环运动，所以不会有“阻塞”

另外，比如一电子由A到B运动，就等效为一空穴由B到A运动，以pn结为参照系，其并不是静止的

Ⅳ 半导体pn型的测定有几种方法

通常是用霍尔效应来测量。霍尔效应是指在磁场中，通电导体会回出现横向电压的现象，详答细可以到网络去查。
多子为电子的n型和多子为空穴的p型半导体，由于载流子的正负属性不同，会使横向电压方向不同，从而可以测出类型。

Ⅵ 为什么PN性半导体加压时,P区的空穴不会消失不是被负极的电子都填补了吗

PN结的重要特性就是整流性，这要看你所加电压的方向，在PN结上外加一电压 ，如果P型一边接正极 ，N型一边接负极，电流便从P型一边流向N型一边，空穴和电子都向界面运动，使空间电荷区变窄，电流可以顺利通过。如果N型一边接外加电压的正极，P型一边接负极，则空穴和电子都向远离界面的方向运动，使空间电荷区变宽，电流不能流过。这就是PN结的单向导电性。
PN结加反向电压时 ，空间电荷区变宽 ， 区中电场增强。反向电压增大到一定程度时，反向电流将突然增大。如果外电路不能限制电流，则电流会大到将PN结烧毁。反向电流突然增大时的电压称击穿电压。基本的击穿机构有两种，即隧道击穿（也叫齐纳击穿）和雪崩击穿，前者击穿电压小于0.6V，有负的温度系数，后者击穿电压大于0.6V，有正的温度系数。 PN结加反向电压时，空间电荷区中的正负电荷构成一个电容性的器件。它的电容量随外加电压改变。
根据PN结的材料、掺杂分布、几何结构和偏置条件的不同，利用其基本特性可以制造多种功能的晶体二极管。如利用PN结单向导电性可以制作整流二极管、检波二极管和开关二极管，利用击穿特性制作稳压二极管和雪崩二极管；利用高掺杂PN结隧道效应制作隧道二极管；利用结电容随外电压变化效应制作变容二极管。使半导体的光电效应与PN结相结合还可以制作多种光电器件。如利用前向偏置异质结的载流子注入与复合可以制造半导体激光二极管与半导体发光二极管；利用光辐射对PN结反向电流的调制作用可以制成光电探测器；利用光生伏特效应可制成太阳电池。
因此，PN结不管是加正向电压还是反向电压，其空穴和电子都不会消逝，只是其转移的过程。

Ⅶ PN什么意思

1、PN公称压力

是压力的一种表示方法，主要用在管道及管配件、阀门等壳体设备的压力表示。

2、PN结

通过特殊的“扩散”制作工艺，将一块本征半导体的一半掺入微量的三价元素、变成P型半导体，而将其另一半掺入微量的五价元素、变成N型半导体。

在P型半导体区和N型半导体区的交界面处就会形成一个具有特殊导电性能的薄层，这就是PN结，它对P型区和N型区中多数载流子的扩散运动产生了阻力。

3、航空运输代码

西部航空公司二字代码：PN，西部航空公司三字代码：CHB。西部航空有限责任公司筹建于2004年4月16日，是经中国民用航空总局批准成立的中国西部地区第二家民营航空公司，注册资本人民币8000万元。

由海航集团投资控股，基地设于重庆市江北国际机场，经营范围包括国内航空客货运输、航空公司间代理、航空器维修以及航空器材进出口和航空配餐服务等。2007年6月14日，西部航空有限责任公司正式成立并首航成功。

4、PN是佩恩的简写

《火影忍者》自来也的徒弟，自称为“神”。

个人介绍

姓名：佩恩 (洋名:Pain)(RB名:ペイン) 真名:长门

年龄 - 不明，根据小南只能判断出年龄在30岁左右

身高：六个身体不一样,天道身高大约是176CM

本体:长门

体重：57KG

来自漩涡一族

六道：天道 人间道修罗道畜生道 恶鬼道 地狱道

声优 - 崛内贤雄

戒指 - [零] 代号：零无 右手的第一指

双人同伴：代号[白]真名小南，她是个女人头上插了个纸做的白玫瑰，可以把自己变成许多纸蝴蝶。

身份：雨忍 和一些S级的忍者组成一个最强的组织“晓”！

自来也的徒弟之一。

5、PN 是 Pseudo-Noise

对CDMA网络基站的测量主要涉及以下网络识别参数：Band、CH、SID、NID、Base Station P Rev、PN offset、BSID、Slot Sycle Index、Raw Ec/Io、Rx Power、Tx Power、Tx Adj、Rx Lev以及经纬度

PN码就是Pseudo-Noise Code，是一具有与白噪声类似的自相关性质的0和1所构成的编码序列. 最广为人知的二位元P-N Code是最大长度位移暂存器序列, 简称m-序列 , 他具有长 2的N次方 - 1个位元, 由一具线性回授的m级暂存器来产生.

常见PN offset就是指PN码偏置指数，在IS-95A CDMA 系统中，PN短码的周期是32768 (就是你看到的2的15次方=32768) chip。

将短码每隔64 chip进行划分,于是得到了512 (= 32768 / 64)个不同相位的短码，将这些短码按0至511顺序编号，将该编号称为PN 码偏置指数。

而这512个PN Offset值并不一定能全部被使用，需要根据网络的规模等实际情况确定了步长（Pilot INC）后才能最终确定可以使用的PN Offset值。

Ⅷ 半导体pn型材料的问题

n型材料导带下的能级是为了给导带提供电子，p型材料价带上面的能级是为内了给价带提供空容穴，说它们是非占用能级就意味着它们已经给半导体提供了载流子，改变了半导体的导电特性；如果这些能级已经被占用那就不能提供载流子，例如在极低温度下n型材料和p型材料都将变成本征态，不再有n或p型的导电行为。它们属于局域态能级，载流子不能像在导带或者价带上那样在这些能级上运动；在半导体的原子相互靠近形成晶体结构后，原子能级就扩展成了能带，这样的能带是非局域态的

Ⅸ 半导体的PN相是指什么

采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同回一块半导体（通常答是硅或锗）基片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称PN结。PN结具有单向导电性。P是positive的缩写，N是negative的缩写，表明正荷子与负荷子起作用的特。P型半导体（P指positive，带正电的）：由单晶硅通过特殊工艺掺入少量的三价元素组成，会在半导体内部形成带正电的空穴；
N型半导体（N指negtive，带负电的）：由单晶硅通过特殊工艺掺入少量的五价元素组成，会在半导体内部形成带负电的自由电子。