半导体工艺极限多少nm
① 为什么说7nm是半导体工艺的极限，但现在又被突破了
7nm不是工艺极限，而是物理极限。要做个小于7nm的器件并不难，大不了用ebeam lith。但是Si晶体管小于7nm，隔不了几层原子，遂穿导致漏电问题就无法忽略，做出来也没法用。
芯片上集成了太多太多的晶体管，晶体管的栅极控制着电流能不能从源极流向漏极，晶体管的源极和漏极之间基于硅元素连接。随着晶体管的尺寸逐步缩小，源极和漏极之间的沟道也会随之缩短，当沟道缩短到一定程度时，量子隧穿效应就会变得更加容易。
晶体管便失去了开关的作用，逻辑电路也就不复存在了。2016年的时候，有媒体在网络上发布一篇文章称，“厂商在采用现有硅材料芯片的情况下，晶体管的栅长一旦低于7nm、晶体管中的电子就很容易产生量子隧穿效应，这会给芯片制造商带来巨大的挑战”。所以，7nm工艺很可能，而非一定是硅芯片工艺的物理极限。
现在半导体工业上肯定是优先修改结构，但是理论上60mV/decade这个极限是目前半导体无法越过的。真正的下一代半导体肯定和现在的半导体有着完全不同的工作原理，无论是TFET还是MIFET或者是别的什么原理，肯定会取代目前的半导体原理。
(1)半导体工艺极限多少nm扩展阅读
难点以及所存在的问题
半导体制冷技术的难点半导体制冷的过程中会涉及到很多的参数，任何一个参数对冷却效果都会产生影响。实验室研究中，由于难以满足规定的噪声，就需要对实验室环境进行研究。半导体制冷技术是基于粒子效应的制冷技术，具有可逆性。所以，在制冷技术的应用过程中，冷热端就会产生很大的温差，对制冷效果必然会产生。
其一，半导体材料的优质系数不能够根据需要得到进一 步的提升，这就必然会对半导体制冷技术的应用造成影响。
其二，对冷端散热系统和热端散热系统进行优化设计，依然处于理论阶段，没有在应用中更好地发挥作用，这就导致半导体制冷技术不能够根据应用需要予以提升。
其三，半导体制冷技术对于其他领域以及相关领域的应用存在局限性，所以，半导体制冷技术使用很少，对于半导体制冷技术的研究没有从应用的角度出发，就难以在技术上扩展。
其四，市场经济环境中，科学技术的发展，半导体制冷技术要获得发展，需要考虑多方面的问题。重视半导体制冷技术的应用，还要考虑各种影响因素，使得该技术更好地发挥作用。
② 为什么曾经说7nm是半导体工艺的极限，但现在又被突破了
先前，媒体曾报导，7nm制程工艺最逼近硅基半导体工艺的物理极限。后来，媒体又报导，7nm工艺并非半导体工艺的极限，后面还依次有5nm工艺、3nm工艺，且5nm工艺、3nm工艺并没有突破硅材料半导体工艺的极限。极限本来是一个数学术语，广义的极限指的是“无限靠近且永远不能到达”的意思。于是，既然7nm工艺后还依次有5nm工艺、3nm工艺，那么，“为什么原来说7nm工艺是半导体工艺的极限，但现在又被突破了”，更准确的说法该是，“为什么原来说7nm工艺是半导体工艺的极限，但现在却又出现了5nm工艺，3nm工艺呢”。
最后要说的是，即便硅基芯片终有一天非常非常地接近物理极限，人们还可以寻找到其他如采用新材料等技术路径来驱动计算性能持续提升。在半导体行业，所谓工艺极限是特定而相对的，特定指的是7nm极限是在半导体FinFET工艺下的物理极限；而相对的意思是每次遇到瓶颈的时候，工业界都会引入新的材料或结构来克服传统工艺的局限性。10年前我们遇到了65nm的工艺极限，工业界引入了HKMG，用High-K介质取代了二氧化硅。
5年前我们遇到了22nm的工艺极限，工业界发明了FinFET和FD-SOI，前者用立体结构取代平面器件来加强栅极的控制能力，后者用氧化埋层来减小漏电。现在7nm是新的工艺极限，工业界使用了砷化铟镓取代了单晶硅沟道来提高器件性能。当然这里面的代价也是惊人的，每一代工艺的复杂性和成本都在上升，现在还能够支持最先进工艺制造的厂商已经只剩下Intel、台积电、三星和GlobalFoundries了。至于7nm以下，就要依赖极紫外(EUV)光刻机了。
③ 半导体的极限工艺是1nm吗
半导体技术，可以分成设计和工艺两大部分。作为学了7年的专业，我觉得中国就是个能吹牛的国家。。。设计技术不想说，民用平均差距在20年。华为、海思什么虽然在通讯领域崛起，赶超思科，但是其他领域如PC等，不仅是IP的积累、经验积累，都大幅落后。集成电路的贸易逆差和进口量，应该都是中国进口货物中最大的，远超石油什么的，这也是现在为什么硬砸1200亿投资集成电路的原因。顺便喷一下威盛这个公司，打着自研的旗帜骗国家钱，面试官不懂装懂，中国集成电路落后就是这些蛀虫惹的祸。主流工艺应该是落后3代左右。中芯国际现在还是45、65，现在Nvdia已经在挑战极限的7nm了，intel的28nm工艺已经成熟的准备换代了。。。其他封装测试什么就不说了，这些基于设计和工艺的东西，必须是落后的。。。不过中国也是有些先进技术的，一些高新材料（虽然是长在进口的衬底上）。。。世界最大的超级计算机银河2和曾经最大的银河1（有兴趣可以查一下银河1，看看他做了几天世界第一，然后被日本超级计算机完爆1个数量级。。），还有号称赶超世界水平的龙芯（哥，你的稳定性行吗？你的核心代码不是买的吗？）总结一句话：2015年起，国家投资1200亿的行业，你觉得他现在很强吗。。。
④ 5nm和7nm，哪个才是现有半导体工艺的物理极
《半导体器件物理与工艺》所讲的器件种类要少，而且后面还有一定篇幅讲回工艺，《半答导体器件物理》这本书各种半导体器件都涉及到了，当时也认真学了，感觉很开拓思路，但是施敏有些地方还是没写清楚，还好上课的时候老师差不多把施敏没讲清楚的地方都给我们提出来讲了讲。所以这本书不适合初学器件，如果你是刚接触器件课，建议看看皮埃罗的《半导体器件基础》，器件课其实器件课主要就是学PN结，金半接触，BJT，MOSFET，PN结和金半接触是所有器件的基础，后两者是电流控制器件和场控器件的典型代表。当然有些书在这三者的基础上又加上了MESFET，MODFET，JFET，这些其实都是场控器件。
⑤ 为什么芯片5nm是极限
因为 目前的芯片工作的模式还是经典逻辑电路。当制程小于5nm, 量子效应占主导地位。譬如量子遂穿，测不准，纠缠，经典逻辑就工作不了了
由热心网友提供的答案2：
纳米是长度的单位之一 纳米和国际单位制中的长度单位米的换算关系 1米=1x10^9nm 7nm=7x10^-9m
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为什么芯片5nm是极限
答：.。。因为 目前的芯片工作的模式还是经典逻辑电路。 当制程小于5nm, 量子效应占主导地位。譬如量子遂穿，测不准，纠缠，经典逻辑就工作不了了
在到达5nm的制程极限之后,CPU要怎么继续发展?
答：也许发展到特定高的工艺制程之后，CPU的发展方向朝架构进化方面改进，而不是再一味强调制程方面的提升了。
在到达5nm的制程极限之后，CPU要怎么继续发展
答：也许发展到特定高的工艺制程之后，CPU的发展方向朝架构进化方面改进，而不是再一味强调制程方面的提升了。
为什么5nm是半导体的物理极限
答：导电的埃一、半导体 1.概念：导电性能介乎导体和绝缘体之间，它们的电阻比导体大得多，但又比绝缘体小得多.这类材料我们把它叫做半导体. 2.半导体材料:锗、硅、砷化镓等，都是半导体. 3.半导体的电学性能: 例如：光敏电阻、热敏电阻、压敏电阻. ...
cpu制作工艺极限是多少 5nm
答：随着科技的进步，CPU制作工艺是没有极限的。 十年前说微米级是极限了，现在已经做到纳米级别了； 随着科技的进步，可以做到1纳米、0.1纳米或者更小级的单位。
5nm和7nm，哪个才是现有半导体工艺的物理极限
答：半导体技术，可以分成设计和工艺两大部分。作为学了7年的专业，我觉得中国就是个能吹牛的国家。。。 设计技术不想说，民用平均差距在20年。华为、海思什么虽然在通讯领域崛起，赶超思科，但是其他领域如PC等，不仅是IP的积累、经验积累，都大幅。
在到达5nm的制程极限之后,CPU要怎么继续发展?
答：7nm，目前不存在5nm
为什么芯片5nm是极限
答：.。。因为 目前的芯片工作的模式还是经典逻辑电路。 当制程小于5nm, 量子效应占主导地位。譬如量子遂穿，测不准，纠缠，经典逻辑就工作不了了
5nm的芯片是什么意思
答：nm，纳米，是集成电路中的金属线宽度。目前还没有5纳米工艺的量产生产线。22纳米以下的工艺还都处于实验阶段。
中国有没有5nm芯片
答：中国目前最高只能生产28NM的芯片，全球5NM芯片都没有开始量产，中国当然也是没有的。
大家猜想一下 智能手机芯片的工艺制成肯定是越来越...
答：以芯片为本体，增加光幕技术。极其微小的芯片能轻易装载与发夹、手表、项链等物品上（说不定也会成为一个卖点）。 使用时投放光幕到空中，大小模式质感透明度个性化随意调整，来电时会振动发声自动弹出。 为保护隐私性还可以增加专门配套眼镜，...
中国有能制造5NM芯片刻饰机吗？
答：中国中微已能生产
蓝色芯片波长为：465-467.5nm，亮度：100-120mcd。
答：这里所谓“亮度”，实际是光强度，是单位立体角内发射的光通量，单位坎德拉，写为cd。 mcd，就是：毫坎德拉。
⑥ 5nm和7nm，哪个才是现有半导体工艺的物理极限
半导体技术，可以复分成设计和工艺两制大部分。作为学了7年的专业，我觉得中国就是个能吹牛的国家。。。 设计技术不想说，民用平均差距在20年。华为、海思什么虽然在通讯领域崛起，赶超思科，但是其他领域如PC等，不仅是IP的积累、经验积累，都大幅。
⑦ 目前cpu半导体工艺等级是多少nm
AMD现在是45NM
intel和IBM都是32NM
下一步升级时22NM
⑧ 为什么5nm是半导体的物理极限
导电的啊。一、半导体 1.概念：导电性能介乎导体和绝缘体之间，它们专的电阻比导体大得多，但又比绝属缘体小得多.这类材料我们把它叫做半导体. 2.半导体材料:锗、硅、砷化镓等，都是半导体. 3.半导体的电学性能: 例如：光敏电阻、热敏电阻、压敏电阻. 二、超导体 1.概念： 一些物质当温度下降到某一温度时，电阻会变为零，这种现象叫做超导现象. 能够发生超导现象的物质，叫做超导体. 2．超导体的优缺点： 如果超导体能应用于实际会降低输电损耗，提高效率及在其他方面给人类带来许多好处. 目前超导体还只应用在科学实验和高新技术中,这是因为一般的金属或合金的超导临界温度都较低. 3.我国的超导体研究： 我国的超导体研究工作走在世界的前列，目前已找到超导临界温度达132K的超导材料.
⑨ 半导体工艺的极限是1纳米吗
估计是，再小工艺，设备，等都无法处理制造了。
⑩ 5nm芯片是极限吗
是的，一个芯片上整合了数以百万计的晶体管，而晶体管实际上就是一个开关，晶体管能通过影响相互的状态来处理信息。晶体管的栅极控制着电流能否由源极流向漏极。电子流过晶体管在逻辑上为“1”，不流过晶体管为“0”，“1”、“0”分别代表开、关两种状态。
在目前的芯片中，连接晶体管源极和漏极的是硅元素。硅之所以被称作半导体，是因为它可以是导体，也可以是绝缘体。晶体管栅极上的电压控制着电流能否通过晶体管。
而为了跟上摩尔定律的节奏，工程师必须不断缩小晶体管的尺寸。但是随着晶体管尺寸的缩小，源极和栅极间的沟道也在不断缩短，当沟道缩短到一定程度的时候，量子隧穿效应就会变得极为容易。
换言之，就算是没有加电压，源极和漏极都可以认为是互通的，那么晶体管就失去了本身开关的作用，因此也没法实现逻辑电路。从现在来看，10nm工艺是能够实现的，7nm也有了一定的技术支撑，而5nm则是现有半导体工艺的物理极限。
(10)半导体工艺极限多少nm扩展阅读
芯片是由很多的晶体管组成的，比如麒麟980里面就积成了69亿个晶体管。那么制程多少则是代表晶体管的尺寸，比如麒麟980是7nm工艺，则代表晶体管是7nm长的，制程越先进，晶体管越小。
芯片制程越先进时，芯片会朝以上两个方向同时发展，即晶体管数会变多，同时芯片面积也会适当变小一点点，比如麒麟980比麒麟970面积变小，晶体管变多，然后性能变强，能耗变小。